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近年、半導体業界は3nm、2nmプロセスといった極限の微細化競争が加速しています。こうした技術革新の背景には、高性能で高い歩留まりを実現する微細加工技術が欠かせません。とりわけ、ウエハー上に極薄膜を原子レベルの精度で堆積する「成膜技術」は、半導体デバイスの性能と信頼性を左右する重要な工程です。
そこで注目されるのが、世界で約70％のシェアを誇るKOKUSAI ELECTRICのバッチ式ALD（原子層堆積法）成膜装置です。
成膜に悩みを抱える製造現場や技術者にとって、KOKUSAI ELECTRICの技術はどのような価値をもたらすのでしょうか。本記事では、同社の成膜技術の特徴と世界的評価、最新の事例を踏まえながら、その優位性と導入のポイントを解説します。
ALD（Atomic Layer Deposition＝原子層堆積法）は、複数種類のガスを交互にウエハー表面に供給し、表面化学反応により原子層単位で薄膜を形成する技術です。特に超微細な膜厚制御と均一性が求められる半導体製造にて不可欠な技術であり、半導体デバイスの微細化に伴いその重要性は増しています。
同社のバッチ式ALD成膜装置は、一度に数十〜数百枚ものウエハーを高精度に処理可能で、生産効率と膜質の均一性を両立できる点が特徴です。複雑化する最先端半導体構造の膜質均一化を実現し、TSMCやサムスン電子など世界トップクラスの半導体メーカーから高い評価を受けています。
世界トップレベルのバッチ式ALD装置は、原子レベルで均一な薄膜堆積を可能にします。従来の連続式に比べ、処理ロット内のバラツキを抑えつつ高い生産性を発揮。これにより、デバイス性能・歩留まりの向上に直接寄与します。
1度の成膜処理で数十〜数百枚のウエハーを一括加工できるため、大規模工場での運用に適しています。生産規模の拡大に伴うコスト削減や供給安定性を支える重要なポイントとなっています。
最新の3nmや2nmプロセスでは、デバイス構造が複雑化し膜厚や組成の均一性の管理が一段と難しくなっています。KOKUSAI ELECTRICの成膜技術は、こうした高度な要求に応える堆積技術として、高い専門家評価を得ています。
代表的な導入先として、TSMCやサムスン電子など、グローバルな半導体先端メーカーの事例があります。これら企業は、量産ラインでKOKUSAI ELECTRICのバッチ式ALD装置を採用し、高品質な薄膜形成と生産効率の両立を実現しています。
また、2023年の東証プライム市場上場も技術力と成長性の評価ポイントとなり、業界内外からの注目度が増しています。
半導体製造業界における成膜技術は、微細化・高性能化の推進力そのものです。KOKUSAI ELECTRICのバッチ式ALD成膜装置は、世界約70％という圧倒的なシェアと、多数の最先端メーカーからの信頼を背景に、安定かつ高品質な薄膜形成を実現しています。
競争が激しい半導体産業において、生産性と膜質の両立は必須課題。KOKUSAI ELECTRICの技術導入は、その解決策のひとつとして有効です。これから成膜技術の見直しや更新を検討される企業様は、ぜひ最新の装置診断やトライアルを活用し、競争力強化につなげてください。